IRGP4750D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRGP4750D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 273 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 190 pF
Encapsulados: TO247
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IRGP4750D datasheet
irgp4750d.pdf
IRGP4750DPbF IRGP4750D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C IC = 50A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C E E G C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 35A E IRGP4750DPbF IRGP4750D EPbF n-channel Applications TO 247AC TO 247AD Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector
irgp4760.pdf
IRGP4760PbF IRGP4760-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor VCES = 650V C IC = 60A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C G E E C C G G E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A IRGP4760PbF IRGP4760 EPbF n-channel TO 247AC TO 247AD Applications G C E Industrial Motor Drive Gate Collector Emitter UPS Solar Inverters Weldin
irgp4740d.pdf
IRGP4740DPbF IRGP4740D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C IC = 40A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C E E G C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 24A E IRGP4740DPbF IRGP4740D-EPbF n-channel TO-247AC TO-247AD Applications Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector Emitter Sola
irgp4790.pdf
IRGP4790PbF IRGP4790-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor VCES = 650V C IC = 90A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C E G E C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A E n-channel IRGP4790PbF IRGP4790 EPbF Applications TO 247AC TO 247AD Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector Emitter Solar Inverters We
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History: STGB40V60F
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