IRGP4750D - аналоги и описание IGBT

 

IRGP4750D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRGP4750D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 190 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRGP4750D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4750D даташит

 ..1. Size:678K  international rectifier
 irgp4750d.pdf pdf_icon

IRGP4750D

IRGP4750DPbF IRGP4750D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C IC = 50A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C E E G C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 35A E IRGP4750DPbF IRGP4750D EPbF n-channel Applications TO 247AC TO 247AD Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector

 8.1. Size:833K  international rectifier
 irgp4760.pdf pdf_icon

IRGP4750D

IRGP4760PbF IRGP4760-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor VCES = 650V C IC = 60A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C G E E C C G G E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A IRGP4760PbF IRGP4760 EPbF n-channel TO 247AC TO 247AD Applications G C E Industrial Motor Drive Gate Collector Emitter UPS Solar Inverters Weldin

 8.2. Size:837K  international rectifier
 irgp4740d.pdf pdf_icon

IRGP4750D

IRGP4740DPbF IRGP4740D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C IC = 40A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C E E G C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 24A E IRGP4740DPbF IRGP4740D-EPbF n-channel TO-247AC TO-247AD Applications Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector Emitter Sola

 8.3. Size:796K  international rectifier
 irgp4790.pdf pdf_icon

IRGP4750D

IRGP4790PbF IRGP4790-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor VCES = 650V C IC = 90A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C E G E C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A E n-channel IRGP4790PbF IRGP4790 EPbF Applications TO 247AC TO 247AD Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector Emitter Solar Inverters We

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGWT30V60F , RJP60F5DPK , IRGP4650D , IGW50N65F5A , IGW50N65H5A , IKW50N65F5A , IKW50N65H5A , MM30G120B , RJP30H1DPD , 1MBI50U4F-120L-50 , KGF30N135NDH , IRGP4078D , NGTB15N120IH , NGTB15N120IHWG , IHW50N65R5 , IKW50N65WR5 , STGB40V60F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.