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HGTG34N100E2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGTG34N100E2
   Tipo de transistor: IGBT
   Código de marcado: G34N100E2
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 208 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 55 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 185 nC
   Paquete / Cubierta: TO247

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HGTG34N100E2 Datasheet (PDF)

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