FF200R12KE3 Todos los transistores

 

FF200R12KE3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FF200R12KE3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1050 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS

Encapsulados: MODULE

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FF200R12KE3 datasheet

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FF200R12KE3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF200R12KE3 IGBT-modules IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V vj CES Collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 80 C, T = 150 C I 200 A C vj max C nom Continuous DC collector current T = 25 C, T = 150 C I 295 A

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FF200R12KE3

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FF200R12KE4P IGBT-Module 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material 62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-applied Thermal Interface Material Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V C

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FF200R12KE3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF200R12KE4 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V vj CES Colle

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FF200R12KE3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF200R12KS4 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 f r hochfrequentes Schalten 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching V = 1200V CES I = 200A / I = 400A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli

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