FF200R12KE3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FF200R12KE3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1050 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
FF200R12KE3 Datasheet (PDF)
ff200r12ke3.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KE3IGBT-modulesIGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 200 AC vj max C nomContinuous DC collector current T = 25C, T = 150C I 295 A
ff200r12ke4p.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF200R12KE4PIGBT-Module62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und bereitsaufgetragenem Thermal Interface Material62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-appliedThermal Interface MaterialVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VC
ff200r12ke4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KE4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESColle
ff200r12ks4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KS4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli
Другие IGBT... APT75GN120B2G , APT75GN120LG , IKQ120N60TA , KM435A , MMG100DR120B , MMG300Q060B6R , SKM200GAH123DKL , FF150R17ME3G , TGPF30N43P , NSGM150GB120B , NSGM200GB120B , KM435B , T0360NB25A , MMG300DR120B , KM435V , NSGM300GB120B , MMG400D120B6HN .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44