NSGM150GB120B Todos los transistores

 

NSGM150GB120B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSGM150GB120B
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1200 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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NSGM150GB120B Datasheet (PDF)

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NSGM150GB120B

SEMICONDUCTOR48.525 25C2E1 E2 C13-M693+0.3 4- 6.5108+0.514 14 14 2.84-0.5All dimensions in millimeters271517.848+0.362.5+0.5G1 E1E2 G230.930.522.5SEMICONDUCTORRoHS RoHS SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR

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NSGM150GB120B

RoHS NSGM100GB Series RoHS SEMICONDUCTORIGBT Module (2 in one-package), 100A Features1. High frequency operation2. Low losses and soft switching3. Isolated baseplate for easy heat sinking 4. Discrete super-fast recovery free-wheel diode5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss40+0.5 3-M5.0 Typical Applications23+0.5 23+0.5AC Motor ControlDC Motor

Otros transistores... APT75GN120LG , IKQ120N60TA , KM435A , MMG100DR120B , MMG300Q060B6R , SKM200GAH123DKL , FF150R17ME3G , FF200R12KE3 , TGAN20N135FD , NSGM200GB120B , KM435B , T0360NB25A , MMG300DR120B , KM435V , NSGM300GB120B , MMG400D120B6HN , MMG450WB170B6EN .

History: APT50GF60AR | FGHL40S65UQ | IXGA30N60C3 | 2MBI600NT-060 | SGW13N60UFD | MITB10WB1200TMH | VS-GT100TP60N

 

 
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