IXYN100N120B3H1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYN100N120B3H1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 690 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 165 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 367 pF
Encapsulados: SOT227
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IXYN100N120B3H1 datasheet
ixyn100n120b3h1.pdf
Preliminary Technical Information 1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYN100N120B3H1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 76A VCE(sat) 2.6V tfi(typ) = 240ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V G VGES
ixyn100n120c3h1.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYN100N120C3H1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 60A VCE(sat) 3.50V tfi(typ) = 110ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V G VGES C
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