IXYN82N120C3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYN82N120C3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 78 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 285 pF
Encapsulados: SOT227
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IXYN82N120C3 datasheet
ixyn82n120c3.pdf
N E W P R O D U C T B R I E F Efficiency Through Technology 1200V XPT IGBTs Extreme-Light Punch-Through IGBTs for High-Speed Hard-Switching Applications October 2012 OVERVIEW TO-247 IXYS Corporation expands its 1200V XPT IGBT product line. With current ratings of up to 220A, these new devices are designed to minimize switching losses in high-voltage, hard-switching applica- tion
ixyn82n120c3h1.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYN82N120C3H1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 46A VCE(sat) 3.2V tfi(typ) = 93ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching SOT-227B, miniBLOC E153432 E Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continu
ixyn80n90c3h1.pdf
Advance Technical Information 900V XPTTM IGBT VCES = 900V IXYN80N90C3H1 GenX3TM w/ Diode IC90 = 70A VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 86ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 900 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 900 V G VGES Continuous 20 V VGEM Tra
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