IXBV22N300S IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBV22N300S
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 360 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF
Encapsulados: PLUS220SMDHV
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IXBV22N300S datasheet
ixbv22n300s.pdf
Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBV22N300S BIMOSFETTM Monolithic IC110 = 22A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 2.7V PLUS220SMDHV Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V G E VGES Continuous 20 V C (Tab) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C
Otros transistores... IXBL20N300C , IXBL60N360 , IXBT12N300HV , IXBT16N170AHV , IXBT20N300HV , IXBT20N360HV , IXBT22N300HV , IXBT42N300HV , FGPF4633 , IXBX28N300HV , IXBX50N360HV , IXCH36N250 , IXCK36N250 , IXGA20N250 , IXGA20N250HV , IXGA24N60C4 , IXGC16N60B2 .
History: IXCK36N250 | MUBW10-06A7
History: IXCK36N250 | MUBW10-06A7
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