IXBV22N300S Todos los transistores

 

IXBV22N300S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBV22N300S
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 360 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF
   Paquete / Cubierta: PLUS220SMDHV
 

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IXBV22N300S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  ixys
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IXBV22N300S

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBV22N300SBIMOSFETTM MonolithicIC110 = 22ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.7VPLUS220SMDHVSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VGEVGES Continuous 20 VC (Tab)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C

Otros transistores... IXBL20N300C , IXBL60N360 , IXBT12N300HV , IXBT16N170AHV , IXBT20N300HV , IXBT20N360HV , IXBT22N300HV , IXBT42N300HV , CRG15T120BNR3S , IXBX28N300HV , IXBX50N360HV , IXCH36N250 , IXCK36N250 , IXGA20N250 , IXGA20N250HV , IXGA24N60C4 , IXGC16N60B2 .

History: IXGK50N90B2D1

 

 
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