IXBV22N300S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBV22N300S
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 360 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF
Paquete / Cubierta: PLUS220SMDHV
- Selección de transistores por parámetros
IXBV22N300S Datasheet (PDF)
ixbv22n300s.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBV22N300SBIMOSFETTM MonolithicIC110 = 22ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.7VPLUS220SMDHVSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VGEVGES Continuous 20 VC (Tab)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C
Otros transistores... IXBL20N300C , IXBL60N360 , IXBT12N300HV , IXBT16N170AHV , IXBT20N300HV , IXBT20N360HV , IXBT22N300HV , IXBT42N300HV , TGAN60N60F2DS , IXBX28N300HV , IXBX50N360HV , IXCH36N250 , IXCK36N250 , IXGA20N250 , IXGA20N250HV , IXGA24N60C4 , IXGC16N60B2 .
History: MMG300WB170B6EN | MII400-12E4 | BLG15T65FUL-B | DM2G200SH6A | F3L15R12W2H3_B27 | CM100DY-24A | TT010N120EQ
History: MMG300WB170B6EN | MII400-12E4 | BLG15T65FUL-B | DM2G200SH6A | F3L15R12W2H3_B27 | CM100DY-24A | TT010N120EQ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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