IXBX28N300HV Todos los transistores

 

IXBX28N300HV - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBX28N300HV
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 62 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 412 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 87 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 110 nC
   Paquete / Cubierta: TO247HV
 

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IXBX28N300HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  ixys
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IXBX28N300HV

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBX28N300HVBIMOSFETTM MonolithicIC110 = 28ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.7VTO-247PLUS-HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VGEVGES Continuous 20 VTabCVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 6

 9.1. Size:163K  ixys
 ixbx25n250.pdf pdf_icon

IXBX28N300HV

High Voltage, High GainVCES = 2500VIXBX25N250BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 25ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.3VSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS247TMVCES TC = 25C to 150C 2500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C 55 ACTabEIC90 TC = 90C 25 AICM TC = 2

Otros transistores... IXBL60N360 , IXBT12N300HV , IXBT16N170AHV , IXBT20N300HV , IXBT20N360HV , IXBT22N300HV , IXBT42N300HV , IXBV22N300S , SGH80N60UFD , IXBX50N360HV , IXCH36N250 , IXCK36N250 , IXGA20N250 , IXGA20N250HV , IXGA24N60C4 , IXGC16N60B2 , IXGC16N60B2D1 .

History: MKI100-12E8 | SKM600GB126D | CM200DU-12NFH | DIM800DDM12-A | TGAN40N120F2D | IXXH60N65B4H1 | TT025N120EQ

 

 
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