IXCK36N250 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXCK36N250
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 595 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 73 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 580 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 177 nC
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de IXCK36N250 - IGBT
IXCK36N250 Datasheet (PDF)
ixck36n250.pdf
High VoltageVCES = 2500VIXCH36N250BIMOSFETTM MonolithicIXCK36N250IC110 = 36ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.3VExtended FBSOATO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 2500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VGC TabVGES Continuous 25 VEVGEM Transient 35 VTO-264IC25 TC = 25C 73 AIC110
Otros transistores... IXBT20N300HV , IXBT20N360HV , IXBT22N300HV , IXBT42N300HV , IXBV22N300S , IXBX28N300HV , IXBX50N360HV , IXCH36N250 , SGT60N60FD1P7 , IXGA20N250 , IXGA20N250HV , IXGA24N60C4 , IXGC16N60B2 , IXGC16N60B2D1 , IXGC16N60C2 , IXGC16N60C2D1 , IXGQ170N30PB .
Liste
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