IXCK36N250 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXCK36N250
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 595 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 73 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 580 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF
Encapsulados: TO264
Búsqueda de reemplazo de IXCK36N250 IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
IXCK36N250 datasheet
ixck36n250.pdf
High Voltage VCES = 2500V IXCH36N250 BIMOSFETTM Monolithic IXCK36N250 IC110 = 36A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.3V Extended FBSOA TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 2500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V G C Tab VGES Continuous 25 V E VGEM Transient 35 V TO-264 IC25 TC = 25 C 73 A IC110
Otros transistores... IXBT20N300HV , IXBT20N360HV , IXBT22N300HV , IXBT42N300HV , IXBV22N300S , IXBX28N300HV , IXBX50N360HV , IXCH36N250 , YGW40N65F1 , IXGA20N250 , IXGA20N250HV , IXGA24N60C4 , IXGC16N60B2 , IXGC16N60B2D1 , IXGC16N60C2 , IXGC16N60C2D1 , IXGQ170N30PB .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630