IXGA20N250 Todos los transistores

 

IXGA20N250 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGA20N250

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 160 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 53 pF

Encapsulados: TO263

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IXGA20N250 datasheet

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IXGA20N250

Advance Technical Information High Voltage IGBT VCES = 2500V IXGA20N250 IC110 = 12A VCE(sat) 3.1V For Capacitor Discharge Applications TO-263 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V E VGES Continuous 20 V C (Tab) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 30 A G = Gate C = Coll

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IXGA20N250

Preliminary Technical Information High Voltage IGBT VCES = 2500V IXGA20N250HV IC110 = 12A VCE(sat) 3.1V For Capacitor Discharge Applications TO-263 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V E VGES Continuous 20 V C (Tab) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 30 A G = Gate C

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IXGA20N250

VCES = 1200 V IXGA 20N120 IGBT IC25 = 40 A IXGP 20N120 VCE(sat) = 2.5 V tfi(typ) = 380 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A TO-263 AA (IXGA) ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A SSOA VGE = 15 V, T

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ixga20n120a3.pdf pdf_icon

IXGA20N250

VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBTs IXGA20N120A3 IC110 = 20A IXGP20N120A3 VCE(sat) 2.5V IXGH20N120A3 Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 3 kHz Switching TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G

Otros transistores... IXBT20N360HV , IXBT22N300HV , IXBT42N300HV , IXBV22N300S , IXBX28N300HV , IXBX50N360HV , IXCH36N250 , IXCK36N250 , JT075N065WED , IXGA20N250HV , IXGA24N60C4 , IXGC16N60B2 , IXGC16N60B2D1 , IXGC16N60C2 , IXGC16N60C2D1 , IXGQ170N30PB , IXGQ240N30PB .

History: MUBW50-12A8

 

 

 


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