Справочник IGBT. IXGA20N250

 

IXGA20N250 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGA20N250
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 160 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 53 pF
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGA20N250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  ixys
ixga20n250.pdfpdf_icon

IXGA20N250

Advance Technical InformationHigh Voltage IGBT VCES = 2500VIXGA20N250IC110 = 12AVCE(sat) 3.1VFor Capacitor DischargeApplicationsTO-263Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 2500 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VEVGES Continuous 20 VC (Tab)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 30 AG = Gate C = Coll

 0.1. Size:195K  ixys
ixga20n250hv.pdfpdf_icon

IXGA20N250

Preliminary Technical InformationHigh Voltage IGBT VCES = 2500VIXGA20N250HVIC110 = 12AVCE(sat) 3.1VFor Capacitor DischargeApplicationsTO-263Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 2500 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VEVGES Continuous 20 VC (Tab)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 30 AG = Gate C

 7.1. Size:69K  ixys
ixga20n120.pdfpdf_icon

IXGA20N250

VCES = 1200 VIXGA 20N120IGBTIC25 = 40 AIXGP 20N120VCE(sat) = 2.5 Vtfi(typ) = 380 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VGCEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C40 AIC90 TC = 90C20 ATO-263 AA (IXGA)ICM TC = 25C, 1 ms 80 ASSOA VGE = 15 V, T

 7.2. Size:234K  ixys
ixga20n120a3.pdfpdf_icon

IXGA20N250

VCES = 1200VGenX3TM 1200V IGBTs IXGA20N120A3IC110 = 20AIXGP20N120A3VCE(sat) 2.5VIXGH20N120A3 Ultra-Low Vsat PT IGBTs forup to 3 kHz SwitchingTO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VG

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: HGT1S7N60B3D | IXGH2N250 | MMIX4B22N300 | APTGT200U170D4 | APTGF180DH60 | MMG150S060B6TC

 

 
Back to Top

 


 
.