IXGQ170N30PB IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGQ170N30PB
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 330 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 170 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 71 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 315 pF
Encapsulados: TO3P
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IXGQ170N30PB datasheet
ixgq170n30pb.pdf
Preliminary Technical Information PolarTM High Speed VCES = 300 V IXGQ170N30PB ICP = 360 A IGBT VCE(sat) 1.70 V for PDP Applications Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V VGEM 30 V G IC25 TC = 25 C, IGBT chip capability 170 A C E (TAB) ICP TJ 150 C, tp
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