IXGQ170N30PB Todos los transistores

 

IXGQ170N30PB - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGQ170N30PB
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 330 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 170 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 71 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 315 pF
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGQ170N30PB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  ixys
 ixgq170n30pb.pdf pdf_icon

IXGQ170N30PB

Preliminary Technical InformationPolarTM High SpeedVCES = 300 VIXGQ170N30PBICP = 360 AIGBTVCE(sat) 1.70 Vfor PDP ApplicationsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3PVCES TJ = 25C to 150C 300 VVGEM 30 VGIC25 TC = 25C, IGBT chip capability 170 ACE(TAB)ICP TJ 150C, tp

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History: IFS100B12N3E4_B39 | IKP08N65F5 | APTGT150DA170D3 | AUIRG4BC30S-S | IXGQ240N30PB | SKM400GA124D | 6MBP25VBA120-50

 

 
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