IXGQ170N30PB - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGQ170N30PB
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 330 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 170 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 71 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 315 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 143 nC
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de IXGQ170N30PB - IGBT
IXGQ170N30PB Datasheet (PDF)
ixgq170n30pb.pdf
Preliminary Technical InformationPolarTM High SpeedVCES = 300 VIXGQ170N30PBICP = 360 AIGBTVCE(sat) 1.70 Vfor PDP ApplicationsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3PVCES TJ = 25C to 150C 300 VVGEM 30 VGIC25 TC = 25C, IGBT chip capability 170 ACE(TAB)ICP TJ 150C, tp
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Liste
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