IXXH60N65B4H1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXH60N65B4H1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 380 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 116 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 223 pF
Encapsulados: TO247
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IXXH60N65B4H1 datasheet
ixxh60n65b4h1.pdf
Advance Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXH60N65B4H1 GenX4TM w/ Diode IC100 = 60A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 72ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM T
ixxh60n65b4.pdf
Advance Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXH60N65B4 GenX4TM IC110 = 60A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 72ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transient
ixxh60n65c4.pdf
Advance Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXH60N65C4 GenX4TM IC110 = 60A VCE(sat) 2.2V Extreme Light Punch Through tfi(typ) = 30ns IGBT for 20-60 kHz Switching Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C Ta
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