IXXH60N65B4H1 Todos los transistores

 

IXXH60N65B4H1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXXH60N65B4H1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 380 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 116 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 223 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 95 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXXH60N65B4H1 Datasheet (PDF)

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IXXH60N65B4H1

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH60N65B4H1GenX4TM w/ Diode IC100 = 60A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 72nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM T

 3.1. Size:167K  ixys
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IXXH60N65B4H1

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH60N65B4GenX4TM IC110 = 60A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 72nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient

 5.1. Size:167K  ixys
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IXXH60N65B4H1

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH60N65C4GenX4TM IC110 = 60A VCE(sat) 2.2V Extreme Light Punch Through tfi(typ) = 30nsIGBT for 20-60 kHz SwitchingSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGC Ta

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History: 2MBI300VN-120-50 | F4-30R06W1E3 | IXGH56N60B3D1 | IRG4BC30UD | TT025N120EQ | AIKB20N60CT | VS-GB50TP120N

 

 
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