IXGH10N60A Todos los transistores

 

IXGH10N60A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGH10N60A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 50 nC
   Paquete / Cubierta: TO247AD
 

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IXGH10N60A Datasheet (PDF)

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IXGH10N60A

Preliminary dataVCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60 600 V 20 A 2.5 VHigh speed IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60A 600 V 20 A 3.0 VTO-220AB(IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCEVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VTO-263 AA (IXGA)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C20 A C (TAB)E

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IXGH10N60A

Preliminary dataVCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60 600 V 20 A 2.5 VHigh speed IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60A 600 V 20 A 3.0 VTO-220AB(IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCEVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VTO-263 AA (IXGA)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C20 A C (TAB)E

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IXGH10N60A

Preliminary dataVCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60 600 V 20 A 2.5 VHigh speed IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60A 600 V 20 A 3.0 VTO-220AB(IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCEVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VTO-263 AA (IXGA)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C20 A C (TAB)E

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IXGH10N60A

Advance Technical InformationHigh Voltage IGBT VCES = 3000VIXGH10N300IC90 = 10A VCE(sat) 3.5V For Capacitor DischargeApplicationsTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VG (TAB)VGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 18 AG = Gate C

Otros transistores... IXXH30N60C3 , IXXH30N65B4 , IXXH40N65B4 , IXXH40N65B4H1 , IXXH60N65B4 , IXXH60N65B4H1 , IXXH60N65C4 , IXGH10N60 , MBQ40T65FDSC , IXGH40N60 , IXGH40N60A , IXGM40N60 , IXGM40N60A , IXGP10N60 , IXGP10N60A , IXXH80N65B4 , IXXH80N65B4H1 .

History: F3L15R12W2H3_B27 | APT200GN60B2G

 

 
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