IXGM40N60A Todos los transistores

 

IXGM40N60A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGM40N60A

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 300 pF

Encapsulados: TO204AE

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IXGM40N60A datasheet

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IXGM40N60A

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 40 N60 600 V 75 A 2.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 40 N60A 600 V 75 A 3.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A IC90 TC = 90 C40 A TO-204 AE (IXGM) I

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IXGM40N60A

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 40 N60 600 V 75 A 2.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 40 N60A 600 V 75 A 3.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A IC90 TC = 90 C40 A TO-204 AE (IXGM) I

Otros transistores... IXXH60N65B4 , IXXH60N65B4H1 , IXXH60N65C4 , IXGH10N60 , IXGH10N60A , IXGH40N60 , IXGH40N60A , IXGM40N60 , TGD30N40P , IXGP10N60 , IXGP10N60A , IXXH80N65B4 , IXXH80N65B4H1 , IXXK110N60B4H1 , IXXK110N65B4H1 , IXXK160N65B4 , IXXK160N65C4 .

History: DF900R12IP4DV | DF200R12PT4-B6 | F3L150R12W2H3-B11 | F3L400R07ME4_B22

 

 

 

 

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