IXGM40N60A - аналоги и описание IGBT

 

IXGM40N60A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGM40N60A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF

Тип корпуса: TO204AE

 Аналог (замена) для IXGM40N60A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGM40N60A даташит

 ..1. Size:52K  ixys
 ixgm40n60a.pdf pdf_icon

IXGM40N60A

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 40 N60 600 V 75 A 2.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 40 N60A 600 V 75 A 3.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A IC90 TC = 90 C40 A TO-204 AE (IXGM) I

 5.1. Size:52K  ixys
 ixgm40n60.pdf pdf_icon

IXGM40N60A

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 40 N60 600 V 75 A 2.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 40 N60A 600 V 75 A 3.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A IC90 TC = 90 C40 A TO-204 AE (IXGM) I

Другие IGBT... IXXH60N65B4 , IXXH60N65B4H1 , IXXH60N65C4 , IXGH10N60 , IXGH10N60A , IXGH40N60 , IXGH40N60A , IXGM40N60 , TGD30N40P , IXGP10N60 , IXGP10N60A , IXXH80N65B4 , IXXH80N65B4H1 , IXXK110N60B4H1 , IXXK110N65B4H1 , IXXK160N65B4 , IXXK160N65C4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.