IXXH80N65B4 Todos los transistores

 

IXXH80N65B4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXXH80N65B4

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 176 pF

Encapsulados: TO247

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IXXH80N65B4 datasheet

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IXXH80N65B4

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXH80N65B4 GenX4TM IC110 = 80A VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 63ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G VGE

 0.1. Size:218K  ixys
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IXXH80N65B4

XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXH80N65B4H1 GenX4TM w/ Sonic IC110 = 80A Diode VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 63ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G VGES Continuous 20

Otros transistores... IXGH10N60 , IXGH10N60A , IXGH40N60 , IXGH40N60A , IXGM40N60 , IXGM40N60A , IXGP10N60 , IXGP10N60A , IXRH40N120 , IXXH80N65B4H1 , IXXK110N60B4H1 , IXXK110N65B4H1 , IXXK160N65B4 , IXXK160N65C4 , IXXK200N65B4 , IXXK300N60B3 , IXXK300N60C3 .

History: F3L300R12ME4-B22 | F3L300R12ME4-B23 | F3L300R12MT4-B22 | OST30N65HMF | F3L100R12W2H3-B11 | F3L300R12PT4_B26 | OST25N65FMF

 

 

 

 

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