IXXK110N65B4H1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXK110N65B4H1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 880 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 240 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 46 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 440 pF
Encapsulados: TO264
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IXXK110N65B4H1 datasheet
ixxk110n65b4h1.pdf
VCES = 650V XPTTM 650V GenX4TM IXXK110N65B4H1 IC110 = 110A w/ Sonic Diode IXXX110N65B4H1 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 85ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V E VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V Tab VGES Continuous 20 V PLUS247 (IXXX)
ixxk110n60b4h1.pdf
Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IXXK110N60B4H1 IC100 = 110A GenX4TM w/ Diode IXXX110N60B4H1 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 27ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V Tab VGES Continuous
ixxk100n60c3h1 ixxx100n60c3h1.pdf
Preliminary Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IXXK100N60C3H1 IC90 = 100A GenX3TM w/ Diode IXXX100N60C3H1 VCE(sat) 2.20V tfi(typ) = 75ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G C VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V E Tab VGES Contin
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