HGTM12N40C1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGTM12N40C1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Encapsulados: TO3
Búsqueda de reemplazo de HGTM12N40C1 IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
HGTM12N40C1 datasheet
hgth12n40c1 hgth12n40e1 hgth12n50c1 hgth12n50e1 hgtm12n40c1 hgtm12n40e1 hgtm12n50c1 hgtm12n50e1 hgtp10n40c1 hgtp10n40e1 hgtp10n50c1 hgtp10n50e1.pdf
Otros transistores... HGTH12N40C1 , HGTH12N40C1D , HGTH12N40E1 , HGTH12N40E1D , HGTH12N50C1 , HGTH12N50C1D , HGTH12N50E1 , HGTH12N50E1D , FGH40N60UFD , HGTM12N40E1 , HGTP10N120BN , HGTP10N40C1 , HGTP10N40C1D , HGTP10N40E1 , HGTP10N40E1D , HGTP10N40F1D , HGTP10N50C1 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50