IXYQ30N65B3D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYQ30N65B3D1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 38 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 172 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 45 nC
Paquete / Cubierta: TO3P
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IXYQ30N65B3D1 Datasheet (PDF)
ixyq30n65b3d1.pdf
Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH30N65B3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 30AIXYQ30N65B3D1 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 33nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30kHz SwitchingTO-247 (IXYH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C,
Otros transistores... IXYH30N65C3H1 , IXYP20N65B3 , IXYP20N65B3D1 , IXYP20N65C3D1 , IXYP20N65C3D1M , IXYP30N65C3 , IXYP50N65C3 , IXYP8N90C3 , IKW75N60T , IXYQ40N65B3D1 , IXYQ40N65C3D1 , IXYT20N120C3D1HV , IXYT30N450HV , IXYT30N65C3H1HV , IXYX100N120B3 , IXYX100N65B3D1 , IXYX100N65C3D1 .
Liste
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