IXYT20N120C3D1HV IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYT20N120C3D1HV
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 29 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 120 pF
Encapsulados: TO268HV
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IXYT20N120C3D1HV datasheet
ixyt20n120c3d1hv.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYT20N120C3D1HV GenX3TM w/ Diode IC110 = 17A VCE(sat) 3.4V tfi(typ) = 108ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-268HV Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V E VGES Continuous 20 V C (Tab)
Otros transistores... IXYP20N65C3D1 , IXYP20N65C3D1M , IXYP30N65C3 , IXYP50N65C3 , IXYP8N90C3 , IXYQ30N65B3D1 , IXYQ40N65B3D1 , IXYQ40N65C3D1 , IHW20N120R3 , IXYT30N450HV , IXYT30N65C3H1HV , IXYX100N120B3 , IXYX100N65B3D1 , IXYX100N65C3D1 , IXYX120N120B3 , IXYX40N450HV , IXYH40N65B3 .
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