IXYT20N120C3D1HV Todos los transistores

 

IXYT20N120C3D1HV - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYT20N120C3D1HV
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 36 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 29 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 120 pF
   Paquete / Cubierta: TO268HV
 

 Búsqueda de reemplazo de IXYT20N120C3D1HV IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXYT20N120C3D1HV Datasheet (PDF)

 0.1. Size:230K  ixys
 ixyt20n120c3d1hv.pdf pdf_icon

IXYT20N120C3D1HV

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYT20N120C3D1HVGenX3TM w/ Diode IC110 = 17A VCE(sat) 3.4V tfi(typ) = 108nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-268HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VEVGES Continuous 20 V C (Tab)

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: MMG150W120X6TN | DIM600DDM17-A | MKI100-12E8 | DIM800DDM12-A | IHW30N135R5 | IXGA24N60C | STGFW20V60DF

 

 
Back to Top

 


 
.