IXYT20N120C3D1HV - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYT20N120C3D1HV
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 36 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 29 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 120 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 53 nC
Paquete / Cubierta: TO268HV
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IXYT20N120C3D1HV Datasheet (PDF)
ixyt20n120c3d1hv.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYT20N120C3D1HVGenX3TM w/ Diode IC110 = 17A VCE(sat) 3.4V tfi(typ) = 108nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-268HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VEVGES Continuous 20 V C (Tab)
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Liste
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