IXYT30N450HV - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYT30N450HV
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 430 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.9 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 318 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 83 pF
Paquete / Cubierta: TO268HV
- Selección de transistores por parámetros
IXYT30N450HV Datasheet (PDF)
ixyt30n450hv.pdf
Advance Technical InformationHigh Voltage XPTTMVCES = 4500VIXYT30N450HVIGBTIXYH30N450HVIC110 = 30AVCE(sat) 3.9VTO-268HV (IXYT)GE C (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 4500 VTO-247HV (IXYH)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 4500 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 60 AGI
ixyt30n65c3h1hv.pdf
Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYT30N65C3H1HVGenX3TM w/ Sonic IC110 = 30AIXYH30N65C3H1Diode VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 24nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-268HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 175C 650 VEVCGR TJ = 25
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IRG7PH28UD1 | APT40GP90BG
History: IRG7PH28UD1 | APT40GP90BG
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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