HGTM12N40E1 Todos los transistores

HGTM12N40E1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGTM12N40E1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Encapsulados: TO3

- Selección ⓘ de transistores por parámetros