IXYH75N65C3H1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYH75N65C3H1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 170 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 67 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 307 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 123 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXYH75N65C3H1 - IGBT
IXYH75N65C3H1 Datasheet (PDF)
ixyh75n65c3h1.pdf
Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH75N65C3H1IC110 = 75AGenX3TM w/ Sonic VCE(sat) 2.3V Diodetfi(typ) = 50nsExtreme Light Punch throughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE =
ixyh75n65c3d1.pdf
Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH75N65C3D1IC110 = 75AGenX3TM w/ Diode VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60nsExtreme Light Punch throughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 6
ixyh75n65c3.pdf
VCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH75N65C3IC110 = 75AGenX3TM VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60nsExtreme Light Punch throughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VVGES Continuous 20 VGC TabVGEM
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