IXYJ30N120C3D1 Todos los transistores

 

IXYJ30N120C3D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYJ30N120C3D1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 140 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 32 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 140 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXYJ30N120C3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  ixys
 ixyj30n120c3d1.pdf pdf_icon

IXYJ30N120C3D1

Advance Technical Information1200V XPTTM GenX3TM VCES = 1200VIXYJ30N120C3D1IGBT w/ Diode IC110 = 14A VCE(sat) 3.3V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 88nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingISO TO-247TME153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C

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History: IXSX80N60B | STGWA20H65DFB2 | DL2G75SH6N | F4-200R06KL4

 

 
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