IXYJ30N120C3D1 Todos los transistores

 

IXYJ30N120C3D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYJ30N120C3D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 140 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 140 pF

Encapsulados: TO247

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IXYJ30N120C3D1 datasheet

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IXYJ30N120C3D1

Advance Technical Information 1200V XPTTM GenX3TM VCES = 1200V IXYJ30N120C3D1 IGBT w/ Diode IC110 = 14A VCE(sat) 3.3V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 88ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching ISO TO-247TM E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C

Otros transistores... IXYH50N65C3 , IXYH50N65C3D1 , IXYH50N65C3H1 , IXYH60N90C3 , IXYH75N65C3 , IXYH75N65C3D1 , IXYH75N65C3H1 , IXYH80N90C3 , GT45F122 , IXYK100N120B3 , IXYK100N65B3D1 , IXYK100N65C3D1 , IXYK120N120B3 , IXYK140N90C3 , IXYL60N450 , IXYP10N65C3 , IXYP10N65C3D1 .

History: IXYK100N120B3

 

 

 


 
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