IXYA15N65C3D1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYA15N65C3D1  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 52 pF

Encapsulados: TO263

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IXYA15N65C3D1 datasheet

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IXYA15N65C3D1

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYA15N65C3D1 GenX3TM w/Diode IC110 = 15A IXYP15N65C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 28ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-263 AA (IXYA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E C (Tab) VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR

Otros transistores... IXGR72N60C3, IXGT25N250HV, IXGT6N170AHV, IXGX50N60AU1S, IXXA30N65C3HV, IXXR100N60B3H1, IXXR110N60B4H1, IXXR110N65B4H1, IRG4PC50UD, IXYA20N120C3HV, IXYA20N65B3, IXYA20N65C3, IXYA20N65C3D1, IXYA50N65C3, IXYF30N450, IXYF40N450, IXA20PT1200LB