IXYA15N65C3D1 - аналоги и описание IGBT

 

IXYA15N65C3D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYA15N65C3D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 38 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 52 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXYA15N65C3D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYA15N65C3D1 даташит

 ..1. Size:222K  ixys
 ixya15n65c3d1.pdf pdf_icon

IXYA15N65C3D1

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYA15N65C3D1 GenX3TM w/Diode IC110 = 15A IXYP15N65C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 28ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-263 AA (IXYA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E C (Tab) VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR

Другие IGBT... IXGR72N60C3 , IXGT25N250HV , IXGT6N170AHV , IXGX50N60AU1S , IXXA30N65C3HV , IXXR100N60B3H1 , IXXR110N60B4H1 , IXXR110N65B4H1 , IRG4PC50UD , IXYA20N120C3HV , IXYA20N65B3 , IXYA20N65C3 , IXYA20N65C3D1 , IXYA50N65C3 , IXYF30N450 , IXYF40N450 , IXA20PT1200LB .

History: IXYP15N65C3D1

 

 

 


 
↑ Back to Top
.