IXYA50N65C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYA50N65C3  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 132 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 135 pF

Encapsulados: TO263

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IXYA50N65C3 datasheet

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IXYA50N65C3

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYA50N65C3 GenX3TM IC110 = 50A IXYP50N65C3 VCE(sat) 2.10V IXYH50N65C3 tfi(typ) = 26ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-263 (IXYA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXYP) VCES TJ = 25 C to 175

Otros transistores... IXXR100N60B3H1, IXXR110N60B4H1, IXXR110N65B4H1, IXYA15N65C3D1, IXYA20N120C3HV, IXYA20N65B3, IXYA20N65C3, IXYA20N65C3D1, GT30G122, IXYF30N450, IXYF40N450, IXA20PT1200LB, IXA20RG1200DHGLB, IXA220I650NA, IXA30RG1200DHGLB, IXA40I4000KN, IXA40RG1200DHGLB