IXA70R1200NA IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXA70R1200NA
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Encapsulados: SOT227
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IXA70R1200NA datasheet
ixa70r1200na.pdf
IXA70R1200NA VCES = 1200V XPT IGBT I= 100A C25 VCE(sat) = 1.8V Boost Chopper Part number IXA70R1200NA Backside isolated 4 3 2 1 Features / Advantages Applications Package SOT-227B (minibloc) Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage V 3000 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry standard out
ixa70i1200na.pdf
IXA70I1200NA VCES = 1200V XPT IGBT I= 100A C25 VCE(sat) = 1.8V Single IGBT Part number IXA70I1200NA Backside isolated (C) 3 (G) 2 (E) 1+4 Features / Advantages Applications Package SOT-227B (minibloc) Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage V 3000 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry sta
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