RGT16NS65D Todos los transistores

 

RGT16NS65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGT16NS65D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 47 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 13 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 21 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 21 nC
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

RGT16NS65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  rohm
 rgt16ns65d.pdf pdf_icon

RGT16NS65D

RGT16NS65D 650V 8A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline LPDS (TO-263S)VCES650V(2) IC(100C)8AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1) (3) PD94WlFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: SKM50GB12V | IRGIB15B60KD1P | HCKW75N65BH2 | IXXH150N60C3

 

 
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