RGT16NS65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGT16NS65D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 47 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 13 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 21 pF
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de RGT16NS65D IGBT
RGT16NS65D Datasheet (PDF)
rgt16ns65d.pdf
RGT16NS65D 650V 8A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline LPDS (TO-263S)VCES650V(2) IC(100C)8AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1) (3) PD94WlFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
Otros transistores... IXA220I650NA , IXA30RG1200DHGLB , IXA40I4000KN , IXA40RG1200DHGLB , IXA70R1200NA , ISL9V3040P3 , ISL9V3040S3 , RGT00TS65D , RGT50TS65D , RGT30NS65D , RGT40NS65D , RGT40TS65D , RGT50TS65D , RGT60TS65D , RGT80TS65D , RGT8BM65D , RGT8NS65D .
History: HGTG12N60B3D
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