RGTH40TS65D Todos los transistores

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RGTH40TS65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RGTH40TS65D

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 72

Tensión colector-emisor (Vce): 650

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.6

Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 25

Capacitancia de salida (Cc), pF: 47

Empaquetado / Estuche: TO247

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RGTH40TS65D Datasheet (PDF)

1.1. rgth40ts65d.pdf Size:738K _igbt

RGTH40TS65D
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RGTH40TS65D 650V 20A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100°C) 20A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 144W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Bui

1.2. rgth40ts65.pdf Size:258K _igbt

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RGTH40TS65 650V 20A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100°C) 20A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 144W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant (3) lApplica

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