APT75GT120JRDQ3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT75GT120JRDQ3  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 480 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 97 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 720 pF

Encapsulados: SOT227

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APT75GT120JRDQ3 datasheet

 0.1. Size:160K  microsemi
 apt75gt120jrdq3.pdf pdf_icon

APT75GT120JRDQ3

 3.1. Size:606K  apt
 apt75gt120ju3.pdf pdf_icon

APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JU3 ISOTOP Buck chopper VCES = 1200V IC = 75A @ Tc = 80 C Trench IGBT Application C AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies G Features Trench + Field Stop IGBT Technology - Low voltage drop E - Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz - Soft recovery parallel diodes - Low diode VF - Low leakage current - Avalanche

 3.2. Size:606K  apt
 apt75gt120ju2.pdf pdf_icon

APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JU2 ISOTOP Boost chopper VCES = 1200V IC = 75A @ Tc = 80 C Trench IGBT Application AC and DC motor control K Switched Mode Power Supplies Power Factor Correction Brake switch C Features Trench + Field Stop IGBT Technology G - Low voltage drop - Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz - Soft recovery parallel diodes -

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