APT75GT120JRDQ3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: APT75GT120JRDQ3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 97 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 720 pF

Тип корпуса: SOT227

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для APT75GT120JRDQ3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

APT75GT120JRDQ3 даташит

 0.1. Size:160K  microsemi
 apt75gt120jrdq3.pdf pdf_icon

APT75GT120JRDQ3

 3.1. Size:606K  apt
 apt75gt120ju3.pdf pdf_icon

APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JU3 ISOTOP Buck chopper VCES = 1200V IC = 75A @ Tc = 80 C Trench IGBT Application C AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies G Features Trench + Field Stop IGBT Technology - Low voltage drop E - Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz - Soft recovery parallel diodes - Low diode VF - Low leakage current - Avalanche

 3.2. Size:606K  apt
 apt75gt120ju2.pdf pdf_icon

APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JU2 ISOTOP Boost chopper VCES = 1200V IC = 75A @ Tc = 80 C Trench IGBT Application AC and DC motor control K Switched Mode Power Supplies Power Factor Correction Brake switch C Features Trench + Field Stop IGBT Technology G - Low voltage drop - Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz - Soft recovery parallel diodes -

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT50GT120B2RDLG, APT50GT120LRDQ2G, APT65GP60B2G, APT65GP60JDQ2, APT75GN120JDQ3, APT75GN60BDQ2G, APT75GN60LDQ3G, APT75GN60SDQ2G, IRG4PC50U, ART10U120, ART20U120, ART30U120, ART40U120, ART45U120SPEC, AUIRGDC0250, SKM100GAL12T4, SKM100GB12T4