ART30U120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ART30U120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 160 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 23 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 80 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 98 nC
Paquete / Cubierta: TO247AC
Búsqueda de reemplazo de ART30U120 IGBT
ART30U120 Datasheet (PDF)
art30u120.pdf

ART30U120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features High short circuit rating optimized for motor control Low conduction losses VCES=1200 V High switching speed VCE(on) typ. =3, 2 V Tighter parameter distribution @VGE =15V, Ic=30A N-channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Units MaxCollector-to-Emitter Voltage VCES V 1200Continuous Collector Cur
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: VS-GB200NH120N | AOK30B60D | IXXH30N60B3 | CM200E3U-24F | IGW60N60H3 | NGTB25N120S | 2MBI50F-120
History: VS-GB200NH120N | AOK30B60D | IXXH30N60B3 | CM200E3U-24F | IGW60N60H3 | NGTB25N120S | 2MBI50F-120



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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