ART30U120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ART30U120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 160 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 23 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 80 pF
Paquete / Cubierta: TO247AC
- Selección de transistores por parámetros
ART30U120 Datasheet (PDF)
art30u120.pdf

ART30U120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features High short circuit rating optimized for motor control Low conduction losses VCES=1200 V High switching speed VCE(on) typ. =3, 2 V Tighter parameter distribution @VGE =15V, Ic=30A N-channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Units MaxCollector-to-Emitter Voltage VCES V 1200Continuous Collector Cur
Otros transistores... APT65GP60JDQ2 , APT75GN120JDQ3 , APT75GN60BDQ2G , APT75GN60LDQ3G , APT75GN60SDQ2G , APT75GT120JRDQ3 , ART10U120 , ART20U120 , IKW30N60H3 , ART40U120 , ART45U120SPEC , AUIRGDC0250 , SKM100GAL12T4 , SKM100GB12T4 , SKM100GB12T4G , SKM100GB12V , SKM100GB176D .
History: VS-GB200NH120N | AFGHL40T65SPD | VS-GT105LA120UX | IXGC16N60C2 | APT20GF120KR | MM50G3U120BMX | IXYH24N90C3D1
History: VS-GB200NH120N | AFGHL40T65SPD | VS-GT105LA120UX | IXGC16N60C2 | APT20GF120KR | MM50G3U120BMX | IXYH24N90C3D1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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