ART30U120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: ART30U120
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF
Тип корпуса: TO247AC
- подбор IGBT транзистора по параметрам
ART30U120 Datasheet (PDF)
art30u120.pdf

ART30U120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features High short circuit rating optimized for motor control Low conduction losses VCES=1200 V High switching speed VCE(on) typ. =3, 2 V Tighter parameter distribution @VGE =15V, Ic=30A N-channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Units MaxCollector-to-Emitter Voltage VCES V 1200Continuous Collector Cur
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: JT600N120F2MH1E | IXYX140N90C3 | APTGT50TA170P | CM100DU-12F | APT30GP60BDF1 | NCE160ED65VTP4 | STGP20NC60V
History: JT600N120F2MH1E | IXYX140N90C3 | APTGT50TA170P | CM100DU-12F | APT30GP60BDF1 | NCE160ED65VTP4 | STGP20NC60V



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet