Справочник IGBT. ART30U120

 

ART30U120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: ART30U120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 98 nC
   Тип корпуса: TO247AC

 Аналог (замена) для ART30U120

 

 

ART30U120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:604K  artschip
 art30u120.pdf

ART30U120 ART30U120

ART30U120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features High short circuit rating optimized for motor control Low conduction losses VCES=1200 V High switching speed VCE(on) typ. =3, 2 V Tighter parameter distribution @VGE =15V, Ic=30A N-channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Units MaxCollector-to-Emitter Voltage VCES V 1200Continuous Collector Cur

Другие IGBT... APT65GP60JDQ2 , APT75GN120JDQ3 , APT75GN60BDQ2G , APT75GN60LDQ3G , APT75GN60SDQ2G , APT75GT120JRDQ3 , ART10U120 , ART20U120 , TGD30N40P , ART40U120 , ART45U120SPEC , AUIRGDC0250 , SKM100GAL12T4 , SKM100GB12T4 , SKM100GB12T4G , SKM100GB12V , SKM100GB176D .

 

 
Back to Top