HGTM12N50C1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGTM12N50C1 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Encapsulados: TO3
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HGTM12N50C1 datasheet
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Otros transistores... HGTP10N40E1D, HGTP10N40F1D, HGTP10N50C1, HGTP10N50C1D, HGTP10N50E1, HGTP10N50E1D, HGTP10N50F1D, HGTP11N120CN, SGT40N60NPFDPN, HGTM12N50E1, HGTP12N60A4, HGTP12N60A4D, HGTP12N60B3, HGTP12N60B3D, HGTP12N60C3, HGTP12N60C3D, HGTP12N60D1
History: IRGP20B120UD-E
🌐 : EN ES РУ
Liste
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