SKM150GB12VG IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM150GB12VG
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 222 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 890 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM150GB12VG datasheet
skm150gb12vg.pdf
SKM150GB12VG Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 222 A Tj = 175 C Tc =80 C 169 A ICnom 150 A ICRM ICRM = 3xICnom 450 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 187 A Tj = 175 C SKM150GB12VG Tc =80 C 140 A IFno
skm150gb12v.pdf
SKM150GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 231 A Tj = 175 C Tc =80 C 176 A ICnom 150 A ICRM ICRM = 3xICnom 450 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 189 A Tj = 175 C SKM150GB12V Tc =80 C 141 A IFnom
skm150gb125d.pdf
SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values Ultra Fast IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1200 V VCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 150 GB 125 D IC Tcase = 25/80 C 150 / 100 4) A ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 300 / 200 4) A Preliminary Data 5) VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 1040 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 2500 V humidity DIN 400
Otros transistores... SKM145GB066D , SKM145GB176D , SKM150GAL12T4 , SKM150GAL12V , SKM150GAR12T4 , SKM150GB12T4 , SKM150GB12T4G , SKM150GB12V , TGPF30N43P , SKM150GM12T4G , SML50HB06 , SPM1001 , SPM1002 , SPM1003 , SPM1004 , SPM1005 , SPM1006 .
History: STGB35N35LZ
History: STGB35N35LZ
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