SKM150GB12VG - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKM150GB12VG
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 222 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 890 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1650 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM150GB12VG
SKM150GB12VG Datasheet (PDF)
skm150gb12vg.pdf
SKM150GB12VGAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 222 ATj = 175 CTc =80C 169 AICnom 150 AICRM ICRM = 3xICnom 450 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 3tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 187 ATj = 175 CSKM150GB12VGTc =80C 140 AIFno
skm150gb12v.pdf
SKM150GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 231 ATj = 175 CTc =80C 176 AICnom 150 AICRM ICRM = 3xICnom 450 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 189 ATj = 175 CSKM150GB12VTc =80C 141 AIFnom
skm150gb125d.pdf
SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesUltra Fast IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1200 VVCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 150 GB 125 DIC Tcase = 25/80 C 150 / 100 4) AICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 300 / 200 4) APreliminary Data 5)VGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 1040 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2500 Vhumidity DIN 400
skm150gb12t4.pdf
SKM150GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 232 ATj = 175 CTc =80C 179 AICnom 150 AICRM ICRM = 3xICnom 450 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS2tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 189 ATj = 175 CSKM150GB12T4Tc =80C
skm150gb12t4g.pdf
SKM150GB12T4GAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 223 ATj = 175 CTc =80C 172 AICnom 150 AICRM ICRM = 3xICnom 450 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 183 ATj = 175 CSKM150GB12T4GTc =80
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2