SKM75GAR063D Todos los transistores

 

SKM75GAR063D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM75GAR063D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 180 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SKM75GAR063D Datasheet (PDF)

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History: MG12400D-BN2MM | APT60GT60BR | SKM145GAL063DN | IXSX80N60B | 1MBH20D-060 | MG200HF12MRC2 | IGW50N60TP

 

 
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