Справочник IGBT. SKM75GAR063D

 

SKM75GAR063D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM75GAR063D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 180 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM75GAR063D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM75GAR063D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:786K  semikron
 skm75gar063d.pdf pdf_icon

SKM75GAR063D

 7.1. Size:786K  semikron
 skm75gal063d.pdf pdf_icon

SKM75GAR063D

 7.2. Size:538K  semikron
 skm75gal123d.pdf pdf_icon

SKM75GAR063D

 8.1. Size:684K  semikron
 skm75gd123d.pdf pdf_icon

SKM75GAR063D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: CM100MXA-24S | IXSX80N60B | 1MBI200SA-120 | HIH30N140IH-DB | FGH40T65SHDF

 

 
Back to Top

 


 
.