SKM75GAR063D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование: SKM75GAR063D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM75GAR063D
SKM75GAR063D Datasheet (PDF)
Другие IGBT... SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , T0160NB45A , T1500TB25E , IRG7S313U , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP .
History: NSGM75GB120 | STGWT20H65FB | NGTB25N120FL2WG | NGTB40N120IHR | AOK50B60D1 | HGTP3N60B3
History: NSGM75GB120 | STGWT20H65FB | NGTB25N120FL2WG | NGTB40N120IHR | AOK50B60D1 | HGTP3N60B3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor