Справочник IGBT. SKM75GAR063D

 

SKM75GAR063D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM75GAR063D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM75GAR063D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM75GAR063D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:786K  semikron
 skm75gar063d.pdf pdf_icon

SKM75GAR063D

 7.1. Size:786K  semikron
 skm75gal063d.pdf pdf_icon

SKM75GAR063D

 7.2. Size:538K  semikron
 skm75gal123d.pdf pdf_icon

SKM75GAR063D

 8.1. Size:684K  semikron
 skm75gd123d.pdf pdf_icon

SKM75GAR063D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , T0160NB45A , T1500TB25E , IRG7S313U , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP .

History: STGD19N40LZ | MITB10WB1200TMH | VS-50MT060WHTAPBF | IXGH24N120C3

 

 
Back to Top

 


 
.