SKM75GAR063D - аналоги и описание IGBT

 

SKM75GAR063D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM75GAR063D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM75GAR063D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM75GAR063D даташит

 ..1. Size:786K  semikron
 skm75gar063d.pdf pdf_icon

SKM75GAR063D

 7.1. Size:786K  semikron
 skm75gal063d.pdf pdf_icon

SKM75GAR063D

 7.2. Size:538K  semikron
 skm75gal123d.pdf pdf_icon

SKM75GAR063D

 8.1. Size:684K  semikron
 skm75gd123d.pdf pdf_icon

SKM75GAR063D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , T0160NB45A , T1500TB25E , IXRH40N120 , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.