VS-70MT060WHTAPBF Todos los transistores

 

VS-70MT060WHTAPBF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS-70MT060WHTAPBF

Tipo de transistor: IGBT + Diode

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 347 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 49 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 790 pF

Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 460 nC

Encapsulados: MODULE

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VS-70MT060WHTAPBF datasheet

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VS-70MT060WHTAPBF

VS-70MT060WHTAPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT MTP (Warp 2 Speed IGBT), 70 A FEATURES NPT warp 2 speed IGBT technology with positive temperature coefficient HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery SMD thermistor (NTC) Al2O3 BDC Very low stay inductance design for high speed operation UL approved file E789

 3.1. Size:198K  vishay
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VS-70MT060WHTAPBF

VS-70MT060WSP www.vishay.com Vishay Semiconductors MTP IGBT Power Module Primary Rectifier and PFC FEATURES Input rectifier bridge PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pt hyperfast diode Very low stray inductance design for high speed operation Integrated thermistor Isolated baseplate MTP UL approved file E78996 Designed and qualified for industria

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History: FGH40N60SF

 

 

 


 
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