Справочник IGBT. VS-70MT060WHTAPBF

 

VS-70MT060WHTAPBF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-70MT060WHTAPBF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 49 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 790 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

VS-70MT060WHTAPBF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:178K  vishay
vs-70mt060whtapbf.pdfpdf_icon

VS-70MT060WHTAPBF

VS-70MT060WHTAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT MTP (Warp 2 Speed IGBT), 70 AFEATURES NPT warp 2 speed IGBT technology with positive temperature coefficient HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery SMD thermistor (NTC) Al2O3 BDC Very low stay inductance design for high speed operation UL approved file E789

 3.1. Size:198K  vishay
vs-70mt060wsp.pdfpdf_icon

VS-70MT060WHTAPBF

VS-70MT060WSPwww.vishay.comVishay SemiconductorsMTP IGBT Power Module Primary Rectifier and PFCFEATURES Input rectifier bridge PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pthyperfast diode Very low stray inductance design for high speed operation Integrated thermistor Isolated baseplateMTP UL approved file E78996 Designed and qualified for industria

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: VS-GB150TS60NPBF | NCE20TH60BP | GT25Q101

 

 
Back to Top

 


 
.