HYG15P120B1K1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HYG15P120B1K1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 156 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Encapsulados: MODULE
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HYG15P120B1K1 datasheet
hyg15p120h1k1.pdf
HYG15P120H1K1 IGBT Module F Features Low VCE sat trench IGBT Low switching losses 10us short circuit capability Fast & soft reverse recovery FRD Maximum junction temperature 175 Temperature sense included Industry standard package with soldering pins for PCB mounting Typical Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive ampli
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History: JJT20N65SE | JJT6N65ST | HYG15P120A1K1
History: JJT20N65SE | JJT6N65ST | HYG15P120A1K1
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