IFS75B12N3E4_B31 Todos los transistores

 

IFS75B12N3E4_B31 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IFS75B12N3E4_B31
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 385 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

IFS75B12N3E4_B31 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:747K  infineon
 ifs75b12n3e4 b31.pdf pdf_icon

IFS75B12N3E4_B31

/ Technical InformationIGBT-IFS75B12N3E4_B31IGBT-modulesMIPAQbase Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und Strommesswiderstand MIPAQbase module with trench/fieldstop IGBT4, emitter controlled 4 diode and current sense shunt IGBT- / IGBT,Inverter / Preliminary Dat

 0.2. Size:898K  infineon
 ifs75b12n3e4 b32.pdf pdf_icon

IFS75B12N3E4_B31

/ Technical InformationIGBT-IFS75B12N3E4_B32IGBT-modulesMIPAQbase / IGBT4 and 4 diodeand MIPAQbase module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and current senseshunt

Otros transistores... HYG15P120H1K1 , HYG30P120H1K1 , HYG40P120H1S , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S , IFS100B12N3E4_B31 , IFS100B12N3E4_B39 , IFS150B12N3E4_B31 , FGA60N65SMD , IFS75B12N3E4_B32 , IXYH20N120C3D1 , IXYH20N120C3 , IXYH30N120C3 , IXYH30N120C3D1 , IXA4I1200UC , IXA4IF1200TC , IXA4IF1200UC .

History: RJH1CD6DPQ-A0 | CM100RL-24NF | CM600DXL-24S | CM50YE13-12H | MMG200D120B6UC | 1MBH50-060 | DM2G150SH6NE

 

 
Back to Top

 


 
.