SG20N12T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SG20N12T
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 90 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 63 nC
Paquete / Cubierta: TO247AD
Búsqueda de reemplazo de SG20N12T IGBT
SG20N12T Datasheet (PDF)
sg20n12t.pdf
SG20N12T, SG20N12DTDiscrete IGBTsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640EG=Gate, C=Collector,D 3.55 3.65 0.140 0.144C(TAB)CE=Emitter,TAB=CollectorGE 4.32 5.49 0.170 0.216F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H - 4.5 - 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055K 10.8 11.0
sg20n12dt.pdf
SG20N12T, SG20N12DTDiscrete IGBTsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640EG=Gate, C=Collector,D 3.55 3.65 0.140 0.144C(TAB)CE=Emitter,TAB=CollectorGE 4.32 5.49 0.170 0.216F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H - 4.5 - 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055K 10.8 11.0
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History: VS-ENQ030L120S | AOK30B60D | IRGP4078D | CM200E3U-24F | IGW60N60H3 | MIXA100PF1200TMH | 2MBI50F-120
History: VS-ENQ030L120S | AOK30B60D | IRGP4078D | CM200E3U-24F | IGW60N60H3 | MIXA100PF1200TMH | 2MBI50F-120
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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