SG23N06DT IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SG23N06DT
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 48 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 120 pF
Encapsulados: TO247AD
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SG23N06DT datasheet
sg23n06dt.pdf
SG23N06T, SG23N06DT Discrete IGBTs Dimensions TO-247AD Dim. Millimeter Inches Min. Max. Min. Max. A 19.81 20.32 0.780 0.800 B 20.80 21.46 0.819 0.845 C 15.75 16.26 0.610 0.640 E G=Gate, C=Collector, D 3.55 3.65 0.140 0.144 C(TAB) C E=Emitter,TAB=Collector G E 4.32 5.49 0.170 0.216 F 5.4 6.2 0.212 0.244 G 1.65 2.13 0.065 0.084 H - 4.5 - 0.177 J 1.0 1.4 0.040 0.055 K 10.8 11.0
sg23n06t.pdf
SG23N06T, SG23N06DT Discrete IGBTs Dimensions TO-247AD Dim. Millimeter Inches Min. Max. Min. Max. A 19.81 20.32 0.780 0.800 B 20.80 21.46 0.819 0.845 C 15.75 16.26 0.610 0.640 E G=Gate, C=Collector, D 3.55 3.65 0.140 0.144 C(TAB) C E=Emitter,TAB=Collector G E 4.32 5.49 0.170 0.216 F 5.4 6.2 0.212 0.244 G 1.65 2.13 0.065 0.084 H - 4.5 - 0.177 J 1.0 1.4 0.040 0.055 K 10.8 11.0
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History: SG12N06T
History: SG12N06T
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