SG75S12S Todos los transistores

 

SG75S12S IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SG75S12S

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 340 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1600 pF

Encapsulados: SOT227

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SG75S12S datasheet

 ..1. Size:1014K  sirectifier
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SG75S12S

SG75S12S Discrete IGBTs Dim. Millimeter Inches Dimensions SOT-227(ISOTOP) Min. Max. Min. Max. A 31.50 31.88 1.240 1.255 B 7.80 8.20 0.307 0.323 C 4.09 4.29 0.161 0.169 D 4.09 4.29 0.161 0.169 E 4.09 4.29 0.161 0.169 F 14.91 15.11 0.587 0.595 G 30.12 30.30 1.186 1.193 H 37.80 38.20 1.489 1.505 J 11.68 12.22 0.460 0.481 K 8.92 9.60 0.351 0.378 L 0.76 0.84 0.030 0.033 M 12.60 12.85

Otros transistores... SG35N12T , SG45N12T , SG50N06D2S , SG50N06D3S , SG50N06DS , SG50N06DT , SG50N06S , SG50N06T , TGPF30N43P , SG7N06DP , SG7N06P , SGP23N60UFD , VS-GT100LA120UX , VS-GT100NA120UX , VS-GT100TP120N , VS-GT100TP60N , VS-GT105LA120UX .

 

 

 


 
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