SG7N06DP Todos los transistores

 

SG7N06DP - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SG7N06DP
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 54 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 14 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

SG7N06DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  sirectifier
 sg7n06dp.pdf pdf_icon

SG7N06DP

SG7N06P, SG7N06DPDiscrete IGBTsDimensions TO-220ABDim. Inches Milimeter Min. Max. Min. Max.A 0.500 0.550 12.70 13.97EB 0.580 0.630 14.73 16.00CC 0.390 0.420 9.91 10.66GD 0.139 0.161 3.54 4.08E 0.230 0.270 5.85 6.85G=Gate, C=Collector, E=EmitterF 0.100 0.125 2.54 3.18G 0.045 0.065 1.15 1.65H 0.110 0.230 2.79 5.84J 0.025 0.040 0.64 1.01K 0.100 BSC 2.54 BSCM 0

 8.1. Size:165K  sirectifier
 sg7n06p.pdf pdf_icon

SG7N06DP

SG7N06P, SG7N06DPDiscrete IGBTsDimensions TO-220ABDim. Inches Milimeter Min. Max. Min. Max.A 0.500 0.550 12.70 13.97EB 0.580 0.630 14.73 16.00CC 0.390 0.420 9.91 10.66GD 0.139 0.161 3.54 4.08E 0.230 0.270 5.85 6.85G=Gate, C=Collector, E=EmitterF 0.100 0.125 2.54 3.18G 0.045 0.065 1.15 1.65H 0.110 0.230 2.79 5.84J 0.025 0.040 0.64 1.01K 0.100 BSC 2.54 BSCM 0

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History: 1MBI50L-060 | SII150N12 | 2MBI150U4H-120 | IRG4BC30F | OM6526SA | APTGF90X60E3 | IXSN35N120AU1

 

 
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