SG7N06DP - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SG7N06DP
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 54
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 14
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 10
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 50
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 25
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de SG7N06DP - IGBT
SG7N06DP Datasheet (PDF)
sg7n06dp.pdf
SG7N06P, SG7N06DPDiscrete IGBTsDimensions TO-220ABDim. Inches Milimeter Min. Max. Min. Max.A 0.500 0.550 12.70 13.97EB 0.580 0.630 14.73 16.00CC 0.390 0.420 9.91 10.66GD 0.139 0.161 3.54 4.08E 0.230 0.270 5.85 6.85G=Gate, C=Collector, E=EmitterF 0.100 0.125 2.54 3.18G 0.045 0.065 1.15 1.65H 0.110 0.230 2.79 5.84J 0.025 0.040 0.64 1.01K 0.100 BSC 2.54 BSCM 0
sg7n06p.pdf
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Otros transistores... SG45N12T , SG50N06D2S , SG50N06D3S , SG50N06DS , SG50N06DT , SG50N06S , SG50N06T , SG75S12S , GT30F126 , SG7N06P , SGP23N60UFD , VS-GT100LA120UX , VS-GT100NA120UX , VS-GT100TP120N , VS-GT100TP60N , VS-GT105LA120UX , VS-GT105NA120UX .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ